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STD65NF06

N沟道60V - 11.5米ヘ - 60A - DPAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 11.5mヘ - 60A - DPAK/TO-220 STripFET⑩ II Power MOSFET

**Description**

This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique “single feature size”™

strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.

■ Standard level gate drive

■ 100% avalanche tested

**Applications**

■ Switching application


得捷:
MOSFET N-CH 60V 60A DPAK


贸泽:
MOSFET N Ch 60V 11.5mohm 60A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 60A DPAK


STD65NF06中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 14 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 110 W

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

连续漏极电流Ids 60A

上升时间 60 ns

输入电容Ciss 1700pF @25VVds

额定功率Max 110 W

下降时间 16 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 110W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

STD65NF06引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
STD65NF06 ST Microelectronics 意法半导体 N沟道60V - 11.5米ヘ - 60A - DPAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 11.5mヘ - 60A - DPAK/TO-220 STripFET⑩ II Power MOSFET 搜索库存
替代型号STD65NF06
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STD65NF06

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-252-3 N-CH 60V 60A

当前型号

N沟道60V - 11.5米ヘ - 60A - DPAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 11.5mヘ - 60A - DPAK/TO-220 STripFET⑩ II Power MOSFET

当前型号

型号: STD60NF06T4

品牌: 意法半导体

封装: TO-252 N-Channel 60V 60A 14mΩ

类似代替

N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

STD65NF06和STD60NF06T4的区别