SST5485-E3中文资料参数规格
技术参数
额定电流 10.0 mA
击穿电压 -25.0 V
漏源极电阻 175 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 350 mW
连续漏极电流Ids 4.00 mA
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-236
外形尺寸
高度 1.02 mm
封装 TO-236
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SST5485-E3引脚图与封装图
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在线购买SST5485-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SST5485-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SST5485-E3 JFET Transistor, Junction Field Effect, -25V, 4mA, 10mA, -4V, TO-236, JFET | 搜索库存 |