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RT1206BRD0711R3L

RT1206BRD0711R3L

数据手册.pdf
Yageo(国巨) 被动器件

RES SMD 11.3Ω 0.1% 0.25W1/4W 1206

11.3 Ohms ±0.1% 0.25W,1/4W 芯片 1206(3216 公制) - 薄膜


得捷:
RES SMD 11.3 OHM 0.1% 1/4W 1206


立创商城:
11.3Ω ±0.1% 250mW


RT1206BRD0711R3L中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定功率 125 mW

电阻 11.3 Ω

阻值偏差 ±0.1 %

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 3216

封装 1206

外形尺寸

长度 3.10 mm

宽度 1.60 mm

高度 550 µm

封装公制 3216

封装 1206

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape, Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RT1206BRD0711R3L引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
RT1206BRD0711R3L Yageo 国巨 RES SMD 11.3Ω 0.1% 0.25W1/4W 1206 搜索库存
替代型号RT1206BRD0711R3L
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: RT1206BRD0711R3L

品牌: Yageo 国巨

封装: 1206 11.3Ω ±0.1% 125mW

当前型号

RES SMD 11.3Ω 0.1% 0.25W1/4W 1206

当前型号

型号: 9T12062A11R3BAHFT

品牌: 国巨

封装: 1206 11.3Ω ±0.1% 125mW 200V

类似代替

RES SMD 11.3Ω 0.1% 0.125W1/8W 1206

RT1206BRD0711R3L和9T12062A11R3BAHFT的区别