RTQ030P02TR
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RTQ030P02TR中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -3.00 A
漏源极电阻 110 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 1.25W Ta
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 3.00 A
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 800pF @10VVds
额定功率Max 1.25 W
下降时间 20 ns
耗散功率Max 1.25W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
外形尺寸
封装 TSOT-23-6
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RTQ030P02TR引脚图与封装图
暂无图片
在线购买RTQ030P02TR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RTQ030P02TR | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | DC-DC转换器（ -20V ， -3.0A ） DC-DC Converter −20V, −3.0A | 搜索库存 |
替代型号RTQ030P02TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RTQ030P02TR 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： TSMT-6 P-Channel 20V 3A 110mΩ | 当前型号 | DC-DC转换器（ -20V ， -3.0A ） DC-DC Converter −20V, −3.0A | 当前型号 |
| 型号： NTUD3169CZT5G 品牌： 安森美 封装： SOT963 N-Channel 20V 280mA | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR NTUD3169CZT5G. 场效应管, MOSFET, N+P沟道, 20V, SOT-963 | RTQ030P02TR和NTUD3169CZT5G的区别 |
| 型号： NTUD3170NZT5G 品牌： 安森美 封装： SOT-963 N-Channel 20V 280mA | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR NTUD3170NZT5G. 场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20V, SOT-963 | RTQ030P02TR和NTUD3170NZT5G的区别 |
| 型号： NTGS5120PT1G 品牌： 安森美 封装： TSOP P-Channel -60V 2.9A | 功能相似 | P 通道功率 MOSFET，30V 至 500V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor | RTQ030P02TR和NTGS5120PT1G的区别 |