RTL035N03TR
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RTL035N03TR中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 3.50 A
针脚数 6
漏源极电阻 79 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 1 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 3.50 A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 350pF @10VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TUMT-6
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.7 mm
高度 0.77 mm
封装 TUMT-6
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
RTL035N03TR引脚图与封装图 
RTL035N03TR引脚图
RTL035N03TR封装图
RTL035N03TR封装焊盘图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RTL035N03TR | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | ROHM RTL035N03TR 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 30 V, 79 mohm, 4.5 V, 1.5 V | 搜索库存 |