RUU002N05T106
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RUU002N05T106中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 0.2 W
漏源极电压Vds 50 V
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 25pF @10VVds
额定功率Max 200 mW
下降时间 55 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323
外形尺寸
封装 SOT-323
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RUU002N05T106引脚图与封装图 
RUU002N05T106引脚图
RUU002N05T106封装图
RUU002N05T106封装焊盘图
在线购买RUU002N05T106
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RUU002N05T106 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3Pin UMT T/R | 搜索库存 |
替代型号RUU002N05T106
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RUU002N05T106 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SC-70 | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3Pin UMT T/R | 当前型号 |
| 型号： RUC002N05T116 品牌： 罗姆半导体 封装： SST N-CH 50V 0.2A | 完全替代 | N 通道 MOSFET 晶体管，ROHM### MOSFET 晶体管，ROHM Semiconductor | RUU002N05T106和RUC002N05T116的区别 |
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