RN1442ATE85LF

Toshiba(东芝) 分立器件

Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 300mA IC 20V VCEO

- 双极 BJT - 单，预偏置 NPN - 预偏压表面贴装型 S-Mini

得捷:
TRANS PREBIAS NPN 20V 0.3A SMINI

贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 300mA IC 20V VCEO

Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI

RN1442ATE85LF中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 20 V

最小电流放大倍数hFE 200 @4mA, 2V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RN1442ATE85LF引脚图与封装图

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