锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

RN1905,LF
Toshiba(东芝) 分立器件

双极晶体管 - 预偏置 US6-PLN

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 NPN - Pre-Biased Dual 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6


得捷:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6


贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 US6-PLN


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin US


Win Source:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6


RN1905,LF中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSSOP-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.9 mm

封装 TSSOP-6

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RN1905,LF引脚图与封装图
RN1905,LF引脚图

RN1905,LF引脚图

RN1905,LF封装图

RN1905,LF封装图

RN1905,LF封装焊盘图

RN1905,LF封装焊盘图

在线购买RN1905,LF
型号 制造商 描述 购买
RN1905,LF Toshiba 东芝 双极晶体管 - 预偏置 US6-PLN 搜索库存
替代型号RN1905,LF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: RN1905,LF

品牌: Toshiba 东芝

封装: 6-TSSOP NPN

当前型号

双极晶体管 - 预偏置 US6-PLN

当前型号

型号: RN1905,LFCT

品牌: 东芝

封装: 6-TSSOP 200mW

完全替代

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 6Pin US T/R

RN1905,LF和RN1905,LFCT的区别