RN55D1004FB14中文资料参数规格
技术参数
容差 ±1 %
额定功率 125 mW
电阻 1 MΩ
阻值偏差 ±1 %
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
额定电压 200 V
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 Axial Leaded
外形尺寸
长度 7.37 mm
封装 Axial Leaded
物理参数
温度系数 ±100 ppm/℃
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
RN55D1004FB14引脚图与封装图
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在线购买RN55D1004FB14
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RN55D1004FB14 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY RN55D1004FB14 金属膜电阻, 1MΩ, 125mW, 1% | 搜索库存 |
替代型号RN55D1004FB14
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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| 型号： RN55D1004FB14 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： Axial | 当前型号 | VISHAY RN55D1004FB14 金属膜电阻, 1MΩ, 125mW, 1% | 当前型号 |
| 型号： RN55D1004FRE6 品牌： 威世 封装： Axial | 完全替代 | VISHAY RN55D1004FRE6 金属膜电阻, 1MΩ, 125mW, 1% | RN55D1004FB14和RN55D1004FRE6的区别 |
| 型号： RN55D1004F 品牌： International Resistive 封装： Axial 1MΩ 125mW ±1% | 类似代替 | INTERNATIONAL RESISTIVE RN55D1004F 金属釉面电阻, 1MΩ, 125MW, 1%, 整卷 | RN55D1004FB14和RN55D1004F的区别 |