时钟频率 1 MHz
位数 8
存取时间Max 55 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.7V ~ 3.6V
安装方式 Surface Mount
引脚数 32
封装 SOP-32
长度 20.95 mm
宽度 11.5 mm
高度 2.85 mm
封装 SOP-32
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
ECCN代码 3A991
R1LV0108ESN-5SI#B0引脚图
R1LV0108ESN-5SI#B0封装图
R1LV0108ESN-5SI#B0封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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R1LV0108ESN-5SI#B0 | Renesas Electronics 瑞萨电子 | SRAM,R1LV 系列,Renesas Electronics R1LV 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。 单 2.7V 至 3.6V 电源 小待机电流 无时钟、无需刷新 所有输入和输出均兼容 TTL 三态输出:OR-tie 能力 ### SRAM(静态随机存取存储器) | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: R1LV0108ESN-5SI#B0 品牌: Renesas Electronics 瑞萨电子 封装: 32-SOIC | 当前型号 | SRAM,R1LV 系列,Renesas ElectronicsR1LV 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。单 2.7V 至 3.6V 电源 小待机电流 无时钟、无需刷新 所有输入和输出均兼容 TTL 三态输出:OR-tie 能力 ### SRAM(静态随机存取存储器) | 当前型号 | |
型号: R1LV0108ESN-5SI#S0 品牌: 瑞萨电子 封装: SOP | 完全替代 | SRAM Chip Async Single 3V 1M-Bit 128K x 8 55ns 32Pin SOP T/R | R1LV0108ESN-5SI#B0和R1LV0108ESN-5SI#S0的区别 |