PMF170XP,115

NXP 恩智浦分立器件

NXP Si P沟道 MOSFET PMF170XP,115, 1 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-323 SC-70封装

P 通道 MOSFET，Nexperia

得捷:
MOSFET P-CH 20V 1A SOT323

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SC-70 T/R

富昌:
P-Channel 20 V 200 mΩ 290 mW 2.6 nC Surface Mount Trench MosFet SMT - SOT-323

Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SC-70 T/R

PMF170XP,115中文资料参数规格

技术参数

极性 P-CH

耗散功率 290mW Ta, 1.67W Tc

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 1A

输入电容Ciss 280pF @10VVds

额定功率Max 290 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 290mW Ta, 1.67W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1.1 mm

封装 SOT-323-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

香港进出口证 NLR

PMF170XP,115引脚图与封装图

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