PSMN1R7-60BS,118
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
PSMN1R7-60BS,118中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 306W Tc
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 120A
上升时间 56 ns
输入电容Ciss 9997pF @30VVds
额定功率Max 306 W
下降时间 49 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 306W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.3 mm
宽度 11 mm
高度 4.5 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PSMN1R7-60BS,118引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PSMN1R7-60BS,118
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PSMN1R7-60BS,118 | NXP 恩智浦 | NXP Si N沟道 MOSFET PSMN1R7-60BS,118, 120 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装 | 搜索库存 |