PMN40UPE,115
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NXP
恩智浦
分立器件
PMN40UPE,115中文资料参数规格
技术参数
极性 P-CH
耗散功率 500mW Ta, 8.33W Tc
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 4.7A
输入电容Ciss 1820pF @10VVds
额定功率Max 500 mW
耗散功率Max 500mW Ta, 8.33W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-457
外形尺寸
封装 SOT-457
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PMN40UPE,115引脚图与封装图
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在线购买PMN40UPE,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PMN40UPE,115 | NXP 恩智浦 | TSOP P-CH 20V 4.7A | 搜索库存 |
替代型号PMN40UPE,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PMN40UPE,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT457 P-CH 20V 4.7A | 当前型号 | TSOP P-CH 20V 4.7A | 当前型号 |
| 型号： PMN30XPX 品牌： 恩智浦 封装： SOT457 | 类似代替 | MOSFET P-CH 20V SC-74 | PMN40UPE,115和PMN30XPX的区别 |