PSMN3R0-60ES,127
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
耗散功率 306W Tc
漏源极电压Vds 60 V
输入电容Ciss 8079pF @30VVds
额定功率Max 306 W
耗散功率Max 306W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
封装 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PSMN3R0-60ES,127 | NXP 恩智浦 | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3Pin3+Tab I2PAK Rail | 搜索库存 |