PSMN4R6-60BS
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NXP
恩智浦
分立器件
PSMN4R6-60BS中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.00374 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 211 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 100A
输入电容Ciss 4426pF @30VVds
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 211 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 D2PAK-263
外形尺寸
长度 10.3 mm
宽度 11 mm
高度 4.5 mm
封装 D2PAK-263
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 Exempt
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
PSMN4R6-60BS引脚图与封装图
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| PSMN4R6-60BS | NXP 恩智浦 | N 通道 MOSFET，超过 100A，NXP semiconductors ### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors | 搜索库存 |