PDTC123JU,115
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NXP
恩智浦
分立器件
PDTC123JU,115中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 10V
额定功率Max 200 mW
直流电流增益hFE 100
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
外形尺寸
宽度 1.35 mm
封装 SOT-323-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
PDTC123JU,115引脚图与封装图
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在线购买PDTC123JU,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PDTC123JU,115 | NXP 恩智浦 | NXP PDTC123JU,115 单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 230 MHz, 200 mW, 100 mA, 100 hFE | 搜索库存 |
替代型号PDTC123JU,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PDTC123JU,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SC-70 NPN 200mW | 当前型号 | NXP PDTC123JU,115 单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 230 MHz, 200 mW, 100 mA, 100 hFE | 当前型号 |
| 型号： DTC114EEBTL 品牌： 罗姆半导体 封装： EMTF NPN 200mW | 功能相似 | 双电阻器数字 NPN 晶体管，ROHM### Digital Transistors, ROHMResistor-equipped bipolar transistors, also known as Digital Transistors or Bias Resistor Transistors, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available. | PDTC123JU,115和DTC114EEBTL的区别 |
| 型号： FJX3013RTF 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOT-323 NPN 50V 100mA | 功能相似 | FJX3013RTF 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 2.2k 47k SOT-323/SC-70 marking/标记 S13 开关电路 逆变器 接口电路 驱动器电路 | PDTC123JU,115和FJX3013RTF的区别 |