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PDTC123JU,115

PDTC123JU,115

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件
PDTC123JU,115中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 10V

额定功率Max 200 mW

直流电流增益hFE 100

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

宽度 1.35 mm

封装 SOT-323-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

PDTC123JU,115引脚图与封装图
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在线购买PDTC123JU,115
型号 制造商 描述 购买
PDTC123JU,115 NXP 恩智浦 NXP  PDTC123JU,115  单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 230 MHz, 200 mW, 100 mA, 100 hFE 搜索库存
替代型号PDTC123JU,115
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PDTC123JU,115

品牌: NXP 恩智浦

封装: SC-70 NPN 200mW

当前型号

NXP  PDTC123JU,115  单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 230 MHz, 200 mW, 100 mA, 100 hFE

当前型号

型号: DTC114EEBTL

品牌: 罗姆半导体

封装: EMTF NPN 200mW

功能相似

双电阻器数字 NPN 晶体管,ROHM### Digital Transistors, ROHMResistor-equipped bipolar transistors, also known as “Digital Transistors” or “Bias Resistor Transistors”, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available.

PDTC123JU,115和DTC114EEBTL的区别

型号: FJX3013RTF

品牌: 飞兆/仙童

封装: SOT-323 NPN 50V 100mA

功能相似

FJX3013RTF 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 2.2k 47k SOT-323/SC-70 marking/标记 S13 开关电路 逆变器 接口电路 驱动器电路

PDTC123JU,115和FJX3013RTF的区别