PDTC124TS,126

NXP(恩智浦) 分立器件

TO-92 NPN 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3

得捷:
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3

PDTC124TS,126中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Box TB

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PDTC124TS,126引脚图与封装图

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