PDTB113ZK,115
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
PDTB113ZK,115中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 500mA
最小电流放大倍数hFE 70 @50mA, 5V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 3.1 mm
宽度 1.7 mm
高度 1.2 mm
封装 SOT-23-3
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PDTB113ZK,115引脚图与封装图
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在线购买PDTB113ZK,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PDTB113ZK,115 | NXP 恩智浦 | MPAK PNP 50V 500mA | 搜索库存 |
替代型号PDTB113ZK,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PDTB113ZK,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-236 PNP | 当前型号 | MPAK PNP 50V 500mA | 当前型号 |
| 型号： BCR573E6327HTSA1 品牌： 英飞凌 封装： SOT-23 PNP -50V -500mA 330mW | 功能相似 | Infineon BCR573E6327HTSA1 PNP 数字晶体管, Vce=50 V, 1 kΩ, 电阻比:0.1, 3引脚 SOT-23封装 | PDTB113ZK,115和BCR573E6327HTSA1的区别 |