PTFA192001EV4XWSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
主动器件
PTFA192001EV4XWSA1中文资料参数规格
技术参数
频率 1.99 GHz
耗散功率 625000 mW
输出功率 50 W
增益 15.9 dB
测试电流 1.8 A
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 625000 mW
额定电压 65 V
封装参数
安装方式 Screw
引脚数 3
封装 H-36260-2
外形尺寸
封装 H-36260-2
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PTFA192001EV4XWSA1引脚图与封装图
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在线购买PTFA192001EV4XWSA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PTFA192001EV4XWSA1 | Infineon 英飞凌 | Trans RF MOSFET N-CH 65V 3Pin Case 36260 Tray | 搜索库存 |
替代型号PTFA192001EV4XWSA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PTFA192001EV4XWSA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： 625000mW | 当前型号 | Trans RF MOSFET N-CH 65V 3Pin Case 36260 Tray | 当前型号 |
| 型号： PTFA192001EV4R0XTMA1 品牌： 英飞凌 封装： H-36260-2 | 类似代替 | RF Power Field-Effect Transistor, 1Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, H-36260-2, 2Pin | PTFA192001EV4XWSA1和PTFA192001EV4R0XTMA1的区别 |