工作电压 28.2 V
击穿电压 31.4 V
钳位电压 45.7 V
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 31.4 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AA-2
封装 DO-214AA-2
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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P6SMB33CAHE3/52 | Vishay Semiconductor 威世 | ESD 抑制器/TVS 二极管 600W 33V 5% Bidir AEC-Q101 Qualified | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: P6SMB33CAHE3/52 品牌: Vishay Semiconductor 威世 封装: DO-214 | 当前型号 | ESD 抑制器/TVS 二极管 600W 33V 5% Bidir AEC-Q101 Qualified | 当前型号 | |
型号: P6SMB33CA-E3/52 品牌: 威世 封装: DO-214AA | 完全替代 | TRANSZORB® 瞬态电压抑制器 SMT 双向 600W,Vishay Semiconductor薄型 DO-214AA SMBJ 封装 极佳的夹持能力 非常快的响应时间 低电阻,带增量浪涌 ### 瞬态电压抑制器,Vishay Semiconductor | P6SMB33CAHE3/52和P6SMB33CA-E3/52的区别 | |
型号: SM6T33CA-M3/5B 品牌: 威世 封装: | 类似代替 | ESD 抑制器/TVS 二极管 600W,33V 5%,BIDIR,SMB TVS | P6SMB33CAHE3/52和SM6T33CA-M3/5B的区别 | |
型号: P6SMB33CA-M3/52 品牌: 威世 封装: | 类似代替 | Diode TVS Single Bi-Dir 28.2V 600W 2Pin SMB T/R | P6SMB33CAHE3/52和P6SMB33CA-M3/52的区别 |