
频率 250 MHz
额定电压DC -40.0 V
额定电流 -200 mA
针脚数 4
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 40 V
最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 300
额定功率Max 1 W
直流电流增益hFE 300
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.7 mm
封装 TO-261-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PZT3906 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR PZT3906 晶体管 双极-射频, PNP, 40 V, 1 W, 200 mA, 300 hFE | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PZT3906 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: SOT-223 PNP -40V -200mA 1000mW | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR PZT3906 晶体管 双极-射频, PNP, 40 V, 1 W, 200 mA, 300 hFE | 当前型号 | |
型号: BCP51-16,115 品牌: 恩智浦 封装: TO-261-4 PNP 1350mW | 功能相似 | NXP BCP51-16,115 单晶体管 双极, PNP, -45 V, 145 MHz, 650 mW, -1 A, 100 hFE | PZT3906和BCP51-16,115的区别 | |
型号: PZT3906T1G 品牌: 安森美 封装: SOT-223 PNP -40V -200mA | 功能相似 | 通用晶体管PNP硅 General Purpose Transistor PNP Silicon | PZT3906和PZT3906T1G的区别 |