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PZT3906
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  PZT3906  晶体管 双极-射频, PNP, 40 V, 1 W, 200 mA, 300 hFE

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −40V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −200mA/-0.2A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 250MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 100~300 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| -400mV/-0.4V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 1.5W Description & Applications| PNP Silicon Switching Transistor High DC current gain 0.1 mA to 100 mA Low collector-emitter saturation voltage Complementary type: PZT 3904 NPN 描述与应用| PNP硅开关 高直流电流增益0.1 mA至100 mA的 低集电极 - 发射极饱和电压 互补式:PZT3904(NPN)

PZT3906中文资料参数规格
技术参数

频率 250 MHz

额定电压DC -40.0 V

额定电流 -200 mA

针脚数 4

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 40 V

最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 300

额定功率Max 1 W

直流电流增益hFE 300

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.7 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

PZT3906引脚图与封装图
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在线购买PZT3906
型号 制造商 描述 购买
PZT3906 Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  PZT3906  晶体管 双极-射频, PNP, 40 V, 1 W, 200 mA, 300 hFE 搜索库存
替代型号PZT3906
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PZT3906

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: SOT-223 PNP -40V -200mA 1000mW

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  PZT3906  晶体管 双极-射频, PNP, 40 V, 1 W, 200 mA, 300 hFE

当前型号

型号: BCP51-16,115

品牌: 恩智浦

封装: TO-261-4 PNP 1350mW

功能相似

NXP  BCP51-16,115  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 145 MHz, 650 mW, -1 A, 100 hFE

PZT3906和BCP51-16,115的区别

型号: PZT3906T1G

品牌: 安森美

封装: SOT-223 PNP -40V -200mA

功能相似

通用晶体管PNP硅 General Purpose Transistor PNP Silicon

PZT3906和PZT3906T1G的区别