PBSS4130QAZ

NXP 恩智浦分立器件

DFN-D NPN 30V 1A

Bipolar BJT Transistor NPN 30 V 1 A 190MHz 325 mW Surface Mount DFN1010D-3

得捷:
NEXPERIA PBSS4130QA - 30 V, 1 A

艾睿:
Trans GP BJT NPN 30V 1A Automotive 3-Pin DFN-D EP

PBSS4130QAZ中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 230 @500mA, 2V

额定功率Max 1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 XDFN-3

外形尺寸

封装 XDFN-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

PBSS4130QAZ引脚图与封装图

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