PZU12B1,115
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NXP
恩智浦
分立器件
PZU12B1,115中文资料参数规格
技术参数
容差 ±2 %
正向电压 1.1V @100mA
耗散功率 550 mW
稳压值 12 V
额定功率Max 310 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOD-323
外形尺寸
封装 SOD-323
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PZU12B1,115引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PZU12B1,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PZU12B1,115 | NXP 恩智浦 | SOD-323F 11.66V 550mW | 搜索库存 |
替代型号PZU12B1,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PZU12B1,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOD-323F | 当前型号 | SOD-323F 11.66V 550mW | 当前型号 |
| 型号： PZU12B2,115 品牌： 恩智浦 封装： SOD323 | 完全替代 | SOD-323F 11.99V 550mW | PZU12B1,115和PZU12B2,115的区别 |
| 型号： BZX384-B12,115 品牌： 恩智浦 封装： UMD | 类似代替 | NXP BZX384-B12,115 单管二极管 齐纳, 12 V, 300 mW, SOD-323, 2 %, 2 引脚, 150 °C | PZU12B1,115和BZX384-B12,115的区别 |
| 型号： BZX384-B12 品牌： 恩智浦 封装： | 类似代替 | 300mW，BZX384 系列，NXP Semiconductors齐纳电压容差为 2% BZX384-B 和大约 5% BZX384-C 表面安装外壳：SOD-323 SC-76 ### 齐纳二极管，NXP Semiconductors | PZU12B1,115和BZX384-B12的区别 |