PDTC124EM,315
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NXP
恩智浦
分立器件
PDTC124EM,315中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 0.25 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 60 @5mA, 5V
额定功率Max 250 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-101-3
外形尺寸
高度 0.47 mm
封装 SC-101-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PDTC124EM,315引脚图与封装图
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在线购买PDTC124EM,315
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PDTC124EM,315 | NXP 恩智浦 | DFN NPN 50V 100mA | 搜索库存 |
替代型号PDTC124EM,315
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PDTC124EM,315 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT883 NPN | 当前型号 | DFN NPN 50V 100mA | 当前型号 |
| 型号： PDTC124EM 品牌： 安世 封装： | 功能相似 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A IC, 50V VBRCEO, 1-Element, NPN, Silicon | PDTC124EM,315和PDTC124EM的区别 |