
极性 NPN
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 5V
额定功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-416-3
封装 SOT-416-3
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PDTC144EE,135 | NXP 恩智浦 | SC-75 NPN 50V 100mA | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PDTC144EE,135 品牌: NXP 恩智浦 封装: SOT416 NPN | 当前型号 | SC-75 NPN 50V 100mA | 当前型号 | |
型号: PDTC144EE,115 品牌: 恩智浦 封装: SOT-416 NPN 150mW | 完全替代 | NXP PDTC144EE,115 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率, SOT-416 | PDTC144EE,135和PDTC144EE,115的区别 | |
型号: DTC144GETL 品牌: 罗姆半导体 封装: EMT NPN | 类似代替 | EMT NPN 50V 100mA | PDTC144EE,135和DTC144GETL的区别 | |
型号: DTC144EET1G 品牌: 安森美 封装: SOT-416 NPN 50V 100mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR DTC144EET1G 单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 200 mW, 100 mA, 80 hFE | PDTC144EE,135和DTC144EET1G的区别 |