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PDTC144EE,135

PDTC144EE,135

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 分立器件

SC-75 NPN 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SC-75 T/R


Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin SC-75 T/R


Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75


PDTC144EE,135中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 0.15 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 5V

额定功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-416-3

外形尺寸

封装 SOT-416-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PDTC144EE,135引脚图与封装图
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在线购买PDTC144EE,135
型号 制造商 描述 购买
PDTC144EE,135 NXP 恩智浦 SC-75 NPN 50V 100mA 搜索库存
替代型号PDTC144EE,135
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PDTC144EE,135

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT416 NPN

当前型号

SC-75 NPN 50V 100mA

当前型号

型号: PDTC144EE,115

品牌: 恩智浦

封装: SOT-416 NPN 150mW

完全替代

NXP  PDTC144EE,115  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率, SOT-416

PDTC144EE,135和PDTC144EE,115的区别

型号: DTC144GETL

品牌: 罗姆半导体

封装: EMT NPN

类似代替

EMT NPN 50V 100mA

PDTC144EE,135和DTC144GETL的区别

型号: DTC144EET1G

品牌: 安森美

封装: SOT-416 NPN 50V 100mA 300mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  DTC144EET1G  单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 200 mW, 100 mA, 80 hFE

PDTC144EE,135和DTC144EET1G的区别