PMF370XN,115
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NXP
恩智浦
分立器件
PMF370XN,115中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.37 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 560 mW
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 870 mA
上升时间 9.5 ns
输入电容Ciss 37pF @25VVds
额定功率Max 560 mW
下降时间 5.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 560mW Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
外形尺寸
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-323-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Computers & Computer Peripherals, Industrial, Communications & Networking, Consumer Electronics
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
PMF370XN,115引脚图与封装图
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在线购买PMF370XN,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PMF370XN,115 | NXP 恩智浦 | NXP PMF370XN,115 晶体管, MOSFET, N沟道, 870 mA, 30 V, 0.37 ohm, 4.5 V, 1 V | 搜索库存 |
替代型号PMF370XN,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PMF370XN,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-323 N-Channel 30V 870mA | 当前型号 | NXP PMF370XN,115 晶体管, MOSFET, N沟道, 870 mA, 30 V, 0.37 ohm, 4.5 V, 1 V | 当前型号 |
| 型号： SI1304BDL-T1-E3 品牌： 威世 封装： SC-70 N-Channel 30V 900mA | 功能相似 | VISHAY SI1304BDL-T1-E3. 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 900mA, SC-70 | PMF370XN,115和SI1304BDL-T1-E3的区别 |