OPB882P51Z中文资料参数规格
技术参数
峰值波长 890 nm
耗散功率 100 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
正向电流 50 mA
正向电流Max 50 mA
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 100 mW
封装参数
安装方式 Chassis
引脚数 4
封装 Pre-Wired
外形尺寸
高度 10.92 mm
封装 Pre-Wired
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
OPB882P51Z引脚图与封装图
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在线购买OPB882P51Z
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| OPB882P51Z | TT Electronics/Optek Technology | Photointerrupter Transmissive 3.18mm Phototransistor 4Pin | 搜索库存 |
替代型号OPB882P51Z
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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