MSMLJ60CA
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
主动器件
MSMLJ60CA中文资料参数规格
技术参数
最大反向电压（Vrrm） 60V
脉冲峰值功率 3000 W
最小反向击穿电压 66.7 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AB
外形尺寸
封装 DO-214AB
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准
含铅标准
MSMLJ60CA引脚图与封装图 
MSMLJ60CA引脚图
MSMLJ60CA封装图
MSMLJ60CA封装焊盘图
替代型号MSMLJ60CA
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MSMLJ60CA 品牌： Microsemi 美高森美 封装： DO-214AB | 当前型号 | DO-214AB 60V 3000W | 当前型号 |
| 型号： MSMLJ60CAE3/TR 品牌： 美高森美 封装： | 完全替代 | Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 60V VRWM, Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMLJ, 2 PIN | MSMLJ60CA和MSMLJ60CAE3/TR的区别 |
| 型号： MSMLJ60CAE3 品牌： 美高森美 封装： DO-214AB-2 | 类似代替 | DO-214AB 60V 3000W | MSMLJ60CA和MSMLJ60CAE3的区别 |
| 型号： MSMLJ60CAE3TR 品牌： 美高森美 封装： | 功能相似 | DO-214AB 60V 3000W | MSMLJ60CA和MSMLJ60CAE3TR的区别 |