MIXA600PF650TSF

IXYS Semiconductor 分立器件

Igbt Module 650V 490A

IGBT Module PT Half Bridge 650V 720A 1750W Chassis Mount Module

得捷:
IGBT MOD 650V 720A 1750W

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 650V 720A 1750000mW SimBus F

MIXA600PF650TSF中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 650 V

额定功率Max 1750 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 1750000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

封装 Module

外形尺寸

封装 Module

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MIXA600PF650TSF引脚图与封装图

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