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MMBV105GLT1

MMBV105GLT1

数据手册.pdf

MMBV105GLT1 变容二极管 SOT-23/SC-59 marking/标记 M4E 调谐

反向电压VRReverse Voltage| 30V \---|--- 电容值CDiode capacitance| @反向电压VR@Reverse Voltage| 电容值CDiode capacitance| 1.5pF-2.8pF @反向电压VR@Reverse Voltage| 25V 电容比Capacitance ratio| 4.0~6.5 Description & Applications| • Silicon Tuning Diode • VOLTAGE VARIABLE CAPACITANCE DIODE • Controlled and Uniform Tuning Ratio 描述与应用| •硅调谐 •电压 •控制和调谐比

MMBV105GLT1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 200 mA

电容 1.50 pF

耗散功率 225 mW

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMBV105GLT1引脚图与封装图
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在线购买MMBV105GLT1
型号 制造商 描述 购买
MMBV105GLT1 ON Semiconductor 安森美 MMBV105GLT1 变容二极管 SOT-23/SC-59 marking/标记 M4E 调谐 搜索库存
替代型号MMBV105GLT1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MMBV105GLT1

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-23/SC-59 30V 200mA 1.5pF

当前型号

MMBV105GLT1 变容二极管 SOT-23/SC-59 marking/标记 M4E 调谐

当前型号

型号: MMBV105GLT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 30V 200mA 1.5pF

完全替代

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