MMBV105GLT1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 200 mA
电容 1.50 pF
耗散功率 225 mW
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
MMBV105GLT1引脚图与封装图
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在线购买MMBV105GLT1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBV105GLT1 | ON Semiconductor 安森美 | MMBV105GLT1 变容二极管 SOT-23/SC-59 marking/标记 M4E 调谐 | 搜索库存 |
替代型号MMBV105GLT1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBV105GLT1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23/SC-59 30V 200mA 1.5pF | 当前型号 | MMBV105GLT1 变容二极管 SOT-23/SC-59 marking/标记 M4E 调谐 | 当前型号 |
| 型号： MMBV105GLT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 30V 200mA 1.5pF | 完全替代 | 硅调谐二极管 Silicon Tuning Diode | MMBV105GLT1和MMBV105GLT1G的区别 |
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