MP86883GQKT-P
数据手册.pdf
Monolithic Power Systems
美国芯源系统
电子元器件分类
MP86883GQKT-P中文资料参数规格
技术参数
电源电压 4.5V ~ 5.5V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TQFN-34
外形尺寸
封装 TQFN-34
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MP86883GQKT-P引脚图与封装图
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在线购买MP86883GQKT-P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MP86883GQKT-P | Monolithic Power Systems 美国芯源系统 | MOSFET DRVR 55A 1Out Hi/Lo Side Non-Inv 34Pin TQFN T/R | 搜索库存 |
替代型号MP86883GQKT-P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MP86883GQKT-P 品牌： Monolithic Power Systems 美国芯源系统 封装： | 当前型号 | MOSFET DRVR 55A 1Out Hi/Lo Side Non-Inv 34Pin TQFN T/R | 当前型号 |
| 型号： MP86883GQKT-Z 品牌： 美国芯源系统 封装： | 完全替代 | MOSFET DRVR 55A 1Out Hi/Lo Side Non-Inv 34Pin TQFN T/R | MP86883GQKT-P和MP86883GQKT-Z的区别 |