MA3SE0100L

•肖特基势垒二极管（SBD）•硅外延平面型•手机•高频波检测是可能的•低正向电压VF•结电容小•串联的肖特基二极管

反向电压VrReverse Voltage| 20V \---|--- 平均整流电流IoAVerage Rectified Current| 25mA 最大正向压降VFForward VoltageVf | 1V 最大耗散功率PdPower dissipation| Description & Applications| • Schottky Barrier Diodes SBD • Silicon epitaxial planar type • For cellular phone • High-frequency wave detection is possible • Low forward voltage VF • Small junction-capacitance • Schottky Barrier Diodes in Series 描述与应用| •肖特基势垒（SBD） •硅外延平面型 •手机 •高频波检测是可能的 •低正向电压VF •结电容小 •串联的肖特基二极管