MTP8N50E
ON Semiconductor
安森美
分立器件
MTP8N50E中文资料参数规格
技术参数
上升时间 33 ns
输入电容Ciss 1450pF @25VVds
下降时间 32 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125000 mW
封装参数
引脚数 3
封装 TO-220
外形尺寸
封装 TO-220
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
MTP8N50E引脚图与封装图
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在线购买MTP8N50E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MTP8N50E | ON Semiconductor 安森美 | Trans MOSFET N-CH Si 500V 8A 3Pin3+Tab TO-220 | 搜索库存 |
替代型号MTP8N50E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MTP8N50E 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： CASE | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH Si 500V 8A 3Pin3+Tab TO-220 | 当前型号 |
| 型号： 2SK894 品牌： 东芝 封装： | 功能相似 | 2SK894 | MTP8N50E和2SK894的区别 |
| 型号： IRF841 品牌： Harris 封装： | 功能相似 | N沟道 450V 8A | MTP8N50E和IRF841的区别 |