MBR3530R
数据手册.pdf
GeneSiC Semiconductor
分立器件
正向电压 680mV @35A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Chassis
封装 DO-4
封装 DO-4
工作温度 110 ℃
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅