MJD44H11TF
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
MJD44H11TF中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 80.0 V
额定电流 8.00 A
极性 NPN
耗散功率 20 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 8A
最小电流放大倍数hFE 40 @4A, 1V
额定功率Max 1.75 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 20 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.6 mm
宽度 6.1 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MJD44H11TF引脚图与封装图
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在线购买MJD44H11TF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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替代型号MJD44H11TF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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| 型号： MJD44H11TM 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252 NPN 80V 8A 1750mW | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MJD44H11TM 单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 50 MHz, 20 W, 8 A, 60 hFE | MJD44H11TF和MJD44H11TM的区别 |
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