MRF6S19200HR5

Freescale 飞思卡尔分立器件

RF MOSFET Transistors HV6 1.9GHz 56W 28V NI780

RF Mosfet LDMOS 28 V 1.6 A 1.93GHz ~ 1.99GHz 17.9dB 56W NI-780H-2L

得捷:
FET RF 66V 1.99GHZ NI780

贸泽:
RF MOSFET Transistors HV6 1.9GHZ 56W 28V NI780

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 66V 3-Pin NI-780 T/R

Chip1Stop:
Trans RF MOSFET N-CH 66V 3-Pin NI-780 T/R

MRF6S19200HR5中文资料参数规格

技术参数

频率 1.93GHz ~ 1.99GHz

无卤素状态 Halogen Free

漏源极电压Vds 66 V

漏源击穿电压 66 V

输出功率 56 W

增益 17.9 dB

测试电流 1.6 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

额定电压 66 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 NI-780

外形尺寸

长度 34.16 mm

宽度 9.91 mm

高度 4.32 mm

封装 NI-780

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MRF6S19200HR5引脚图与封装图

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