MMBZ5221B
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
MMBZ5221B中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 2.40 V
容差 ±5 %
额定功率 350 mW
正向电压 900mV @10mA
耗散功率 250 mW
测试电流 20 mA
稳压值 2.4 V
正向电压Max 900mV @10mA
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MMBZ5221B引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MMBZ5221B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBZ5221B | Fairchild 飞兆/仙童 | 350mW，MMBZ52xxB 系列，Fairchild Semiconductor ### 齐纳二极管，Fairchild Semiconductor | 搜索库存 |
替代型号MMBZ5221B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBZ5221B 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOT-23 2.4V | 当前型号 | 350mW，MMBZ52xxB 系列，Fairchild Semiconductor### 齐纳二极管，Fairchild Semiconductor | 当前型号 |
| 型号： MMBZ5221BLT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 2.4V | 功能相似 | 225mW，MMBZ52xxB 系列，ON Semiconductor表面安装外壳：SOT-23 ### Zener Diodes, ON Semiconductor | MMBZ5221B和MMBZ5221BLT1G的区别 |
| 型号： MMBZ5221B-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-23-3 2.4V | 功能相似 | DiodesZetex MMBZ5221B-7-F 1 齐纳二极管, 单路, 2.4V 5% 350 mW 表面贴装 3-Pin SOT-23 | MMBZ5221B和MMBZ5221B-7-F的区别 |
| 型号： MMBZ5221B-T1 品牌： Sensitron Semiconductor 封装： | 功能相似 | SOT-23 2.4V 350mW | MMBZ5221B和MMBZ5221B-T1的区别 |