MMBZ33VAL
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NXP
恩智浦
分立器件
MMBZ33VAL中文资料参数规格
技术参数
工作电压 900 mV
针脚数 3
耗散功率 360 mW
钳位电压 46 V
测试电流 1 mA
最大反向击穿电压 34.65 V
脉冲峰值功率 40 W
最小反向击穿电压 31.35 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-236
外形尺寸
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.1 mm
封装 TO-236
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Portable Devices, Consumer Electronics, Automotive, Computers & Computer Peripherals, Imaging, Audio, Video & Vision
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
MMBZ33VAL引脚图与封装图
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在线购买MMBZ33VAL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBZ33VAL | NXP 恩智浦 | MMBZ 系列、低电容双路 ESD 保护二极管 单向双路静电放电 ESD 保护二极管，共阳极配置，采用 SOT23 TO-236AB 小型表面安装设备 SMD 塑料封装。 ### 瞬态电压抑制器，NXP | 搜索库存 |
替代型号MMBZ33VAL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBZ33VAL 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-236AB | 当前型号 | MMBZ 系列、低电容双路 ESD 保护二极管单向双路静电放电 ESD 保护二极管，共阳极配置，采用 SOT23 TO-236AB 小型表面安装设备 SMD 塑料封装。### 瞬态电压抑制器，NXP | 当前型号 |
| 型号： MMBZ33VALT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 33V 1A 40W | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBZ33VALT1G TVS二极管, TVS, MMBZ系列, 单向, 26 V, 46 V, SOT-23, 3 引脚 | MMBZ33VAL和MMBZ33VALT1G的区别 |
| 型号： MMBZ33VAL,215 品牌： 恩智浦 封装： TO-236AB | 功能相似 | MMBZ33 系列 33 V 双 ESD保护 二极管 - SOT23 | MMBZ33VAL和MMBZ33VAL,215的区别 |