IS42S16100E-7BLI

Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

Synchronous DRAM, 1MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60, 10.10 X 6.4MM, 0.65MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-60

SDRAM 存储器 IC 16Mb（1M x 16）并联 143 MHz 5.5 ns 60-TFBGA（6.4x10.1）

得捷:
IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA

艾睿:
DRAM Chip SDRAM 16Mbit 1Mx16 3.3V 60-Pin TFBGA

Chip1Stop:
DRAM Chip SDRAM 16M-Bit 1Mx16 3.3V 60-Pin TFBGA

Verical:
DRAM Chip SDRAM 16Mbit 1Mx16 3.3V 60-Pin TFBGA

Win Source:
512K Words x 16 Bits x 2 Banks 16Mb SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

IS42S16100E-7BLI中文资料参数规格

技术参数

供电电流 150 mA

位数 16

存取时间Max 6ns, 5.5ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 60

封装 BGA-60

外形尺寸

高度 0.85 mm

封装 BGA-60

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

IS42S16100E-7BLI引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
IS42S16100E-7BLI	Integrated Silicon SolutionISSI	Synchronous DRAM, 1MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60, 10.10 X 6.4MM, 0.65MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-60	搜索库存

替代型号IS42S16100E-7BLI

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： IS42S16100E-7BLI 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： Mini-BGA	当前型号	Synchronous DRAM, 1MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60, 10.10 X 6.4MM, 0.65MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-60	当前型号
型号： IS45S16100E-7BLA1 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： BGA	完全替代	DRAM Chip SDRAM 16Mbit 1Mx16 3.3V Automotive 60Pin TFBGA	IS42S16100E-7BLI和IS45S16100E-7BLA1的区别
型号： IS42S16100F-7BL 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： BGA	类似代替	动态随机存取存储器 16M 1Mx16 143MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V	IS42S16100E-7BLI和IS42S16100F-7BL的区别
型号： IS42S16100E-6BL 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： BGA	类似代替	动态随机存取存储器 16M 1Mx16 166Mhz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V	IS42S16100E-7BLI和IS42S16100E-6BL的区别