BC856BWT1
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ON Semiconductor
安森美
分立器件
BC856BWT1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -65.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 65 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 220
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SC-70-3
外形尺寸
长度 2.1 mm
宽度 1.24 mm
高度 0.85 mm
封装 SC-70-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
BC856BWT1引脚图与封装图
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在线购买BC856BWT1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC856BWT1 | ON Semiconductor 安森美 | 通用晶体管（ PNP硅） General Purpose TransistorsPNP Silicon | 搜索库存 |
替代型号BC856BWT1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC856BWT1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-323 PNP 65V 100mA | 当前型号 | 通用晶体管（ PNP硅） General Purpose TransistorsPNP Silicon | 当前型号 |
| 型号： BC856BWT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-323 PNP -65V -100mA 150mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR BC856BWT1G 单晶体管 双极, PNP, -65 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 150 hFE | BC856BWT1和BC856BWT1G的区别 |
| 型号： BC856BW-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-323 65V 100mA 200mW | 功能相似 | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW Automotive 3Pin SOT-323 T/R | BC856BWT1和BC856BW-7-F的区别 |
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