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BSC026N08NS5ATMA1

BSC026N08NS5ATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 80 V, 0.0022 ohm, 10 V, 3 V

Summary of Features:

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Optimized for synchronous rectification
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Ideal for high switching frequency
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Output capacitance reduction of up to 44% 
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R DSon reduction of up to 44%

Benefits:

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Highest system efficiency
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Reduced switching and conduction losses
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Less paralleling required
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Increased power density
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Low voltage overshoot

Target Applications:

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Telecom
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Server
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Solar
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Low voltage drives
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Light electric vehicles
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Adapter
BSC026N08NS5ATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 156 W

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 3.9 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 156 W

阈值电压 2.2 V

漏源极电压Vds 80 V

漏源击穿电压 80 V

连续漏极电流Ids 100A

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 6800pF @40VVds

下降时间 16 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta, 156W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-TDSON-8

外形尺寸

宽度 5.15 mm

封装 PG-TDSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

BSC026N08NS5ATMA1引脚图与封装图
BSC026N08NS5ATMA1引脚图

BSC026N08NS5ATMA1引脚图

BSC026N08NS5ATMA1封装图

BSC026N08NS5ATMA1封装图

BSC026N08NS5ATMA1封装焊盘图

BSC026N08NS5ATMA1封装焊盘图

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BSC026N08NS5ATMA1 Infineon 英飞凌 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 80 V, 0.0022 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存