ZXTD2M832TA
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
ZXTD2M832TA中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -3.50 A
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 20 V
集电极最大允许电流 3.5A
最小电流放大倍数hFE 150 @2A, 2V
最大电流放大倍数hFE 300
额定功率Max 1.7 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 MLP-8
外形尺寸
封装 MLP-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ZXTD2M832TA引脚图与封装图
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在线购买ZXTD2M832TA
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ZXTD2M832TA | Diodes 美台 | TRANS DUAL PNP 20V 3.5A 8MLP | 搜索库存 |
替代型号ZXTD2M832TA
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ZXTD2M832TA 品牌： Diodes 美台 封装： 8-MLP PNP 20V 3.5A | 当前型号 | TRANS DUAL PNP 20V 3.5A 8MLP | 当前型号 |
| 型号： ZXTD718MCTA 品牌： 美台 封装： DFN-8 PNP 2.45W | 功能相似 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT Dual 20V PNP-20V 64mOhm 4.5A IC | ZXTD2M832TA和ZXTD718MCTA的区别 |