ZXTDB2M832TA
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
ZXTDB2M832TA中文资料参数规格
技术参数
额定电流 4.50 A
极性 NPN+PNP
击穿电压集电极-发射极 20 V
集电极最大允许电流 5A/3.8A
最小电流放大倍数hFE 300 @200mA, 2V
额定功率Max 1.7 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 MLP-8
外形尺寸
封装 MLP-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ZXTDB2M832TA引脚图与封装图
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在线购买ZXTDB2M832TA
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ZXTDB2M832TA | Diodes 美台 | TRANS NPN/PNP 20V 4.5A/3.5A 8MLP | 搜索库存 |
替代型号ZXTDB2M832TA
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ZXTDB2M832TA 品牌： Diodes 美台 封装： 8-MLP NPN+PNP 4.5A | 当前型号 | TRANS NPN/PNP 20V 4.5A/3.5A 8MLP | 当前型号 |
| 型号： ZXTC6718MCTA 品牌： 美台 封装： DFN-8 NPN+PNP 3000mW | 类似代替 | TRANS NPN/PNP 20V 4.5A/3.5A 8DFN | ZXTDB2M832TA和ZXTC6718MCTA的区别 |