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ZXT12N50DXTA

ZXT12N50DXTA

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

ZXT 系列 50V 3 A 双 NPN 硅 低饱和 开关晶体管 -MSOP-8

- 双极 BJT - 阵列 2 NPN(双) 50V 3A 132MHz 1.04W 表面贴装型 8-MSOP


得捷:
TRANS 2NPN 50V 3A 8MSOP


立创商城:
2个NPN 50V 3A


艾睿:
Look no further than Diodes Zetex&s;s NPN ZXT12N50DXTA general purpose bipolar junction transistor, which can easily operate in high voltage ranges. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 7.5 V. Its maximum power dissipation is 1250 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V and a maximum emitter base voltage of 7.5 V.


Allied Electronics:
Transistor Dual NPN 50V 3A MSOP8


安富利:
Trans GP BJT NPN 50V 3A 8-Pin MSOP T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 50V 3A 8-Pin MSOP T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 50V 3A 1250mW Automotive 8-Pin MSOP T/R


Win Source:
TRANS 2NPN 50V 3A 8MSOP


DeviceMart:
TRANS NPN DL LOSAT 50V 3A 8-MSOP


ZXT12N50DXTA中文资料参数规格
技术参数

频率 132 MHz

额定电压DC 50.0 V

额定电流 3.00 A

额定功率 1.04 W

极性 NPN

耗散功率 0.87 W

增益频宽积 132 MHz

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 300 @1A, 2V

最大电流放大倍数hFE 250 @10mA, 2V

额定功率Max 1.04 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 MSOP-8

外形尺寸

长度 3.1 mm

宽度 3.1 mm

高度 0.95 mm

封装 MSOP-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

ZXT12N50DXTA引脚图与封装图
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在线购买ZXT12N50DXTA
型号 制造商 描述 购买
ZXT12N50DXTA Diodes 美台 ZXT 系列 50V 3 A 双 NPN 硅 低饱和 开关晶体管 -MSOP-8 搜索库存
替代型号ZXT12N50DXTA
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: ZXT12N50DXTA

品牌: Diodes 美台

封装: MSOP-8 NPN 50V 3A 1250mW

当前型号

ZXT 系列 50V 3 A 双 NPN 硅 低饱和 开关晶体管 -MSOP-8

当前型号

型号: ZXT12N50DXTC

品牌: 美台

封装: 8-MSOP NPN 50V 3A 1250mW

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