ZX5T853ZTA
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
ZX5T853ZTA中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 4.50 A
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 4.5A
最小电流放大倍数hFE 100 @2A, 2V
额定功率Max 2.1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.1 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-89-3
外形尺寸
封装 SOT-89-3
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ZX5T853ZTA引脚图与封装图
暂无图片
在线购买ZX5T853ZTA
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ZX5T853ZTA | Diodes 美台 | TRANS NPN 100V 4.5A SOT-89 | 搜索库存 |
替代型号ZX5T853ZTA
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ZX5T853ZTA 品牌： Diodes 美台 封装： SOT-89-3 NPN 100V 4.5A | 当前型号 | TRANS NPN 100V 4.5A SOT-89 | 当前型号 |
| 型号： ZXTN2011ZTA 品牌： 美台 封装： SOT-89-3 NPN 100V 4.5A 2100mW | 类似代替 | ZXTN2011Z 系列 4.5 A 100 V 表面贴装 NPN 硅 中等功率 晶体管 - SOT-89 | ZX5T853ZTA和ZXTN2011ZTA的区别 |
| 型号： PBSS306NX,115 品牌： 安世 封装： | 功能相似 | 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 110 MHz, 600 mW, 4.5 A, 40 hFE | ZX5T853ZTA和PBSS306NX,115的区别 |