ZXTD1M832TA
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
ZXTD1M832TA中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -12.0 V
额定电流 -4.00 A
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 12 V
集电极最大允许电流 4.4A
最小电流放大倍数hFE 180 @2.5A, 2V
额定功率Max 1.7 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.7 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 MLP-8
外形尺寸
封装 MLP-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ZXTD1M832TA引脚图与封装图
暂无图片
在线购买ZXTD1M832TA
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ZXTD1M832TA | Diodes 美台 | TRANS DUAL PNP 12V 4A 8MLP | 搜索库存 |
替代型号ZXTD1M832TA
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ZXTD1M832TA 品牌： Diodes 美台 封装： 8-MLP PNP 12V 4A | 当前型号 | TRANS DUAL PNP 12V 4A 8MLP | 当前型号 |
| 型号： ZXTD717MCTA 品牌： 美台 封装： DFN-8 PNP 2450mW | 功能相似 | TRANS DUAL PNP 12V 4A 8DFN | ZXTD1M832TA和ZXTD717MCTA的区别 |