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ZTX949
Diodes(美台) 分立器件

Trans GP BJT PNP 30V 4.5A Automotive 3Pin E-Line

- 双极 BJT - 单 PNP 100MHz 通孔 E-Line(TO-92 兼容)


得捷:
TRANS PNP 30V 4.5A E-LINE


艾睿:
The three terminals of this PNP ZTX949 GP BJT from Diodes Zetex give it the ability to be used as either an electronic switch or amplifier. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 1200 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 30 V and a maximum emitter base voltage of 6 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 200 °C.


安富利:
Trans GP BJT PNP 30V 4.5A 3-Pin E-Line


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 30V 4.5A 3-Pin E-Line


Win Source:
TRANS PNP 30V 4.5A E-LINE


ZTX949中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -30.0 V

额定电流 -4.50 A

极性 PNP

耗散功率 1200 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 4.5A

最小电流放大倍数hFE 100 @1A, 1V

额定功率Max 1.58 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1200 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 200℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

ZTX949引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
ZTX949 Diodes 美台 Trans GP BJT PNP 30V 4.5A Automotive 3Pin E-Line 搜索库存
替代型号ZTX949
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: ZTX949

品牌: Diodes 美台

封装: TO-92 PNP 30V 4.5A 1200mW

当前型号

Trans GP BJT PNP 30V 4.5A Automotive 3Pin E-Line

当前型号

型号: ZTX949STZ

品牌: 美台

封装: TO-92 PNP 30V 4.5A 1.2W

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