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ZDT6753TA
Diodes(美台) 分立器件

ZDT6753TA 编带

- 双极 BJT - 阵列 NPN,PNP 100V 2A 175MHz,140MHz 2.75W 表面贴装型 SM8


得捷:
TRANS NPN/PNP 100V 2A SM8


立创商城:
1个NPN,1个PNP 100V 2A


艾睿:
Implement this versatile npn and PNP ZDT6753TA GP BJT from Diodes Zetex into an electronic circuit to be used as a current or voltage-controlled switch or amplifier. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 7 V. Its maximum power dissipation is 2750 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 100 V and a maximum emitter base voltage of 7 V.


Allied Electronics:
Comp Transistor, NPN+PNP, 2A, 100V, SM8


安富利:
Trans GP BJT NPN/PNP 100V 2A 8-Pin SM8 T/R


富昌:
ZDT6753 Series NPN/PNP 2 A 100 V Complementary Medium Power Transistor SOT-223-8


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN/PNP 100V 2A 8-Pin SM8 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN/PNP 100V 2A 2750mW 8-Pin SM8 T/R


Win Source:
TRANS NPN/PNP 100V 2A SM8


DeviceMart:
TRANSISTOR DUAL NPN/PNP SOT223-8


ZDT6753TA中文资料参数规格
技术参数

频率 175 MHz

额定电流 2.00 A

极性 NPN+PNP

耗散功率 2.75 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 100 @500mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 70

额定功率Max 2.75 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2750 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOT-223-8

外形尺寸

封装 SOT-223-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

ZDT6753TA引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
ZDT6753TA Diodes 美台 ZDT6753TA 编带 搜索库存
替代型号ZDT6753TA
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: ZDT6753TA

品牌: Diodes 美台

封装: SM8 NPN+PNP 2A 2.75W

当前型号

ZDT6753TA 编带

当前型号

型号: ZDT6753TC

品牌: 美台

封装: SM8 NPN+PNP 2A 2.75W

完全替代

1个NPN,1个PNP 100V 2.75W 100nA

ZDT6753TA和ZDT6753TC的区别