额定电压DC 30.0 V
额定电流 1.20 A
通道数 1
漏源极电阻 220 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 625 mW
输入电容 150 pF
漏源极电压Vds 30.0 V
漏源击穿电压 30 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 1.40 A
上升时间 2.5 ns
下降时间 2.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 625mW Ta
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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ZXM61N03FTC | Diodes 美台 | Trans MOSFET N-CH 30V 3Pin SOT-23 T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: ZXM61N03FTC 品牌: Diodes 美台 封装: SOT-23 N-Channel 30V 1.4A 300mΩ 150pF | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 30V 3Pin SOT-23 T/R | 当前型号 | |
型号: ZXM61N03FTA 品牌: 美台 封装: SOT-23-3 N-Channel 30V 1.4A 300mΩ 150pF | 类似代替 | ZXM61N03FTA 编带 | ZXM61N03FTC和ZXM61N03FTA的区别 | |
型号: ZXM61N03F 品牌: 美台 封装: | 功能相似 | DIODES INC. ZXM61N03F 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.4 A, 30 V, 220 mohm, 10 V, 1 V | ZXM61N03FTC和ZXM61N03F的区别 |