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ZXTN2007ZTA

ZXTN2007ZTA

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

Trans GP BJT NPN 30V 6A 2100mW Automotive 4Pin3+Tab SOT-89 T/R

- 双极 BJT - 单 NPN 140MHz 表面贴装型 SOT-89-3


立创商城:
NPN 30V 6A


得捷:
TRANS NPN 30V 6A SOT89-3


艾睿:
Design filters, receivers, transmitters, op-amps, power supplies, and control circuits with this versatile NPN ZXTN2007ZTA GP BJT from Diodes Zetex. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 7 V. Its maximum power dissipation is 2100 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 30 V and a maximum emitter base voltage of 7 V.


安富利:
Trans GP BJT NPN 30V 6A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 30V 6A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


Win Source:
TRANS NPN 30V 6A SOT89


ZXTN2007ZTA中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 6.00 A

极性 NPN

耗散功率 2100 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 6A

最小电流放大倍数hFE 100 @1A, 1V

额定功率Max 2.1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-89-3

外形尺寸

封装 SOT-89-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

ZXTN2007ZTA引脚图与封装图
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